基于电艺改善焊料性能的方法

本发明涉及一种基于电镀工艺改善Sn-Ag焊料性能的方法，其特征在于：①首先以硅片为基底，热氧化形成二氧化硅绝缘层；②在二氧化硅绝缘层上真空溅射TiW/Cu；③之后依次电镀Cu或Ni、Sn-Ag和In，Cu层厚度为3-5微米，而后Sn-Ag焊料电镀之后接着电镀约为Sn-Ag焊料厚度1/10的In。最后回流以促使Sn、Ag和In原子混合均匀。本发明针对微电子封装中 Cu 与 Sn-Ag  之间焊接温度高、Sn-Ag  焊料润湿性差以及焊料中容易出现大块Ag3Sn等缺陷，结合微电子封装中经常使用的电镀工艺，采用在Sn-Ag电镀之后接着电镀一薄层In的方法很好地解决了Sn-Ag焊料的上述缺陷。

基于微电子机械的光学电流传感器

本发明是一种基于微电子机械系统的光学电流传感器，其特征在于采用微机械工艺将 MEMS  金属线圈制作于MEMS扭转微镜上，非磁性骨架结构的Rogowski线圈和MEMS金属线圈将高压交流电信号以感应电流的形式引入到 MEMS 扭转微镜的线圈中，在 MEMS  扭转微镜的背面制作反射镜面，镜面将在电磁力矩的作用下绕轴摆动，采用对角度非常敏感的光束耦合方式能够精确测量镜面摆动角度，就可以获知电流值。这种光学电流传感器将MEMS技术运用到高压大电流检测中，以感应电流驱动，在高压端无需驱动电源，实现了光电隔离，具有体积小、成本低、可批量生产、抗干扰等优点，具有较高的测试精度和灵敏度，是一种具有应用前景的光学电流传感器。

凹槽焊接实现焊料倒扣焊的工艺

本发明涉及一种凹槽中焊接实现焊料倒扣焊的工艺方法，其特征在于：(a)使用普通硅片作为倒扣焊基板，在基板上采用TMAH湿法腐蚀形成斜槽；(b)采用全加法工艺，在斜槽内制作铜焊盘；不必制备阻焊层；(c)采用倒扣焊机实现锡凸点与斜槽中焊盘之间的对准，凸点插入斜槽内并和焊盘进行焊接。本发明提供的工艺最终可以实现焊盘间距 74μm/焊盘宽度 50μm  的焊盘结构，优于目前的“减法工艺”和“半加法工艺”得到的焊盘面积与焊盘间间距的关系参数。而且该倒扣焊工艺不需要制作阻焊层结构，利用腐蚀槽的阻挡作用凹槽可限制焊料的流动，防止回流过程中焊料的流动造成相邻焊盘之间的短接。

曝光方法和半导体器件的制造方法

本申请提供一种曝光方法和半导体器件的制造方法，所述曝光方法包括：在设置于基材表面的光刻胶表面沉积介质层；将光刻板置于所述介质层表面，向所述光刻板照射光，以对所述光刻胶曝光，其中，所述介质层对照射到所述光刻板的光透明。根据本申请的实施例，在光刻胶表面沉积介质层，能够防止在曝光过程中光刻板与光刻胶接触，避免光刻胶对光刻板的粘污，使得清洗光刻板所需的时间和成本减少。

键合方法和半导体器件的制造方法

本申请提供一种键合方法和半导体器件的制造方法，该键合方法用于使第一基片与第二基片键合为一体，该键合方法包括：对表面沉积有键合用金属层的所述第一基

片进行处理，以使所述金属层的表面生成覆盖物；将所述第一基片与所述第二基片所处环境的温度调整到第一温度，以将所述覆盖物从所述金属层的表面去除，其中，所述第一温度高于所述覆盖物的沸点；维持该第一温度，将所述第二基片与所述金属层的表面贴合，并对所述第一基片和所述第二基片施加压力，以使所述第一基片与所述第二基片键合为一体。根据本申请，在键合用金属层的表面形成覆盖层，并在键合过程中使该覆盖层挥发，以露出干净的金属层表面，从而提高共晶键合的效果。

封装方法和半导体器件

本发明提供一种封装方法和半导体器件，该封装方法包括：在基片上沉积第一牺牲层，以覆盖形成于基片的半导体元件；在第一牺牲层的上表面和侧壁覆盖第一介质层，第一介质层具有使第一牺牲层的一部分露出的第一凹槽；在露出的第一牺牲层的表面覆盖第二牺牲层；在第二牺牲层及露出的第一介质层表面覆盖第二介质层，第二介质层具有使第二牺牲层露出的释放孔和第二凹槽；沉积填充层，以填充第二凹槽；通过释放孔，去除第二牺牲层和第一牺牲层，以形成空腔；沉积第三介质层，覆盖第二介质层露出的表面，并且填充释放孔。根据本申请，免除了使用管壳进行封装的步骤，降低了对半导体元件的封装成本，并能提高产量。

立体式温度探测器及其制作方法

本申请提供一种立体式温度探测器及其制造方法，该立体式温度探测器包括：基片；位于所述基片表面的第一介质层；第一介质层、第一层热电堆材料结构、第二介质层结构、第二层热电堆材料结构、以及第三介质层结构围成的空腔；所述空腔顶部具有第六凹槽以及填充所述第六凹槽的红外吸收层结构，所述红外吸收层结构具有第八凹槽；所述第一层热电堆材料结构通过所述第四凹槽与所述第二层热电堆材料结构连接。根据本申请，能够增加热电堆热偶对和热电堆隔热膜的长度，使其热导率降低，从而使热结和冷结的温差增加，提高温度探测器的灵敏度；并且，在其制造工艺中，可以提高工艺稳定性和器件性能。

褶皱膜温度传感器

本申请提供一种褶皱膜温度传感器及其制作方法，该褶皱膜温度传感器包括：具有凹槽和台阶部的基片；在台阶部2a表面和第一凹槽2上方具有多层膜结构，其中，第一介质层5、第二介质层结构8、第三介质层结构12、以及第一凹槽2围成空腔15；多层膜结构的位于第一凹槽2上方的部分形成为褶皱结构，其具有至少两个凹部和至少一个凸部，并且，褶皱结构还具有释放孔14a；位于释放孔14a外侧的第四凹槽10，并且，第二层热电堆材料结构8通过第四凹槽10与第一层热电堆材料结构6连接。根据本申请，能够增加褶皱膜温度传感器的热偶对和隔热膜的长度，使其热导率降低，提高传感器灵敏度，并且，在其制造工艺中，可以提高工艺稳定性和器件性能。

气压式温度传感器

本申请提供一种气压式温度传感器及其制作方法，该温度传感器包括：压力传感器1；红外吸收热敏层3，其通过键合封环2键合于压力传感器1的表面，以形成由红外吸收热敏层3、压力传感器1、以及键合封环2围合而成的第一空腔4a，并且该第一空腔中密封有工作气体4；密封的第二空腔10，其至少形成于红外吸收热敏层3的上方，第二空腔的底部至少包括红外吸收热敏层3，第二空腔10的侧壁包括介质层结构(6和11)的一部分，第二空腔10的顶部包括介质层结构(6和11)的另一部分、以及红外滤光片9，红外滤光片9与第一空腔4a的位置对应。根据本申请，该气压式温度传感器的集成度高、灵敏度高、测温范围广，并且制作成本低，具有良好的应用前景。

硅片图形高精度转移的方法

本申请提供一种硅片正背面图形转移的方法，该方法利用偏移补偿，增加一次投影式曝光(非接触高精度式曝光)，将正/背面图形转移机接触式曝光与投影式曝光相结合，从而达到提高正背面图形的相互转移的对准精度。

双梁式热驱动可调谐滤波器

本申请提供一种双梁式热驱动可调谐滤波器及其制作方法，该可调谐滤波器包括：衬底1，在所述衬底1中形成有凹槽2和围绕所述凹槽2的台阶部2a；下层复合膜3，其形成为至少覆盖所述凹槽2的底部和侧壁；上层复合膜5，其与所述下层复合膜3隔开设置；红外吸收板9，其形成于所述第一部5a和所述第二部5b的表面；金属环8，其形成于所述第三部5c的表面；以及条形金属层7，其形成于所述第四部5d和所述第五部5e的表面；其中，在所述下层复合膜3和所述上层复合膜5之间形成为空腔11。根据本申请，实现了一种满足高选择性、低串扰、低损耗且成本低廉的可调谐滤波器。

MEMS光学芯片

本发明提供一种基于中间层键合的 MEMS  光学芯片的封装结构及封装方法，所述封装结构包括：第一部件，包括光学透明基体，其上、下表面分别镀制上光学增透膜及图形化的下光学增透膜；第二部件，包括中间层；第三部件，包括MEMS光学芯片，其在MEMS驱动器的作用下实现对光束的操控；其中，所述中间层将光学透明基体与MEMS光学芯片连接在一起，实现第一部件及第三部件的圆片级键合，并为每个MEMS光学芯片形成独立的密封腔体。本发明的封装结构能够独立设计，兼容 MEMS 光学芯片的工艺要求，能够实现 MEMS  光学芯片无损封装，有效保证了镜面的光洁度，提升了气密性能。本发明具有工艺简单，易于批量生产、易于集成、控制等优点，在光学芯片的封装中有着广泛的应用前景。

MEMS可调光衰减器

本发明提供一种数字化控制的 MEMS  可调光衰减器及控制方法，所述的 MEMS 可调光衰减器包括 N  面可独立驱动的扭转微镜阵列，每面扭转微镜只有两个扭转角度状态，通过控制每面微镜的扭转角度状态实现输入光信号衰减量的数字化控制，其中，9≤N≤50。本发明具有以下有益效果：1）采用数字化二进制电压控制，实现了 MEMS 光衰减器高精度的衰减量控制；2）无需采用反馈控制，可以有效抑制静电驱动MEMS光衰减器的“慢漂移”，大幅度降高精度光衰减器的成本和体积；3）可以有效抑制MEMS光衰减器的温度相关插入损耗，大幅度降低器件的温度影响；4）数字化控制的高精度MEMS光衰减器将大幅降低可调光衰减器仪表的成本和体积。

基于硅-玻璃键合的MEMS光学芯片

本发明提供一种基于硅-玻璃键合的MEMS光学芯片的封装结构及封装方法，所述封装结构包括：第一部件，包括光学玻璃，其上表面镀制上光学增透膜，下表面形成有空腔，所述空腔上表面达到光学面光洁度要求，并镀制有下光学增透膜；第二部件，包括MEMS光学芯片；所述第一部件及第二部件通过硅 -玻璃键合实现圆片级键合，并为每个 MEMS  光学芯片形成独立的密封腔体。本发明能够实现圆片级封装要求，提高芯片的可靠性及稳定性，不仅保证了光学芯片应用所需要的电性能、机械性能和光学性能，而且也提供了优于其它封装技术的综合水平。本发明可以降低封装成本，提高封装效率，降低光损耗，在光通信器件及光传感器件的封装中有着广泛的应用前景。

热式单波长光开关

本申请提供一种热式单波长光开关及其制作方法，该热式单波长光开关包括：衬底1、下层复合膜3、光反射层4、上层复合膜7、红外吸收板11、和条形金属层9，其中，在该光反射层4和该上层复合膜7之间形成为空腔15。根据本申请，该热式单波长光开关只需一小型可控热辐射光源，无需其他外部电路的设计可以满足光开关效果，使用方便且成本低廉。

多波段可调天线和无线通信装置

本申请提供一种多波段可调天线和无线通信装置。该多波段可调天线包括：接地层，其用于连接地电势；辐射层，其具有开路端、用于与接地层电连接的短路端、用于射频信号馈入的馈电端、第一电容端以及第二电容端，其中，该第一电容端与该开路端的距离小于该第一电容端与该短路端的距离，该第二电容端与该短路端的距离小于该第二电容端与该开路端的距离；介质载体，其位于该接地层和该辐射层之间；第一电容元件，其连接于该第一电容端与该接地层之间，并且该第一电容元件的电容值能够变化。第二电容元件，其连接于该第二电容端与该接地层之间，并且该第二电容元件的电容值能够变化。本申请能使天线的调谐范围较大，并具有良好的匹配性能和辐射性能。

非交叠时钟信号产生电路

本发明涉及一种多相非交叠时钟信号产生电路，其利用延时单元将主时钟信号延时生成一个延时时钟信号，并通过与非门和或非门等器件产生多相非交叠时钟。本发明的电路具有结构简单、功耗低、占用面积小、可靠性高和可编程等特点。

上电保护电路和电子设备

本申请提供一种上电保护电路，尤其涉及一种电源管理模块的上电保护电路，该上电保护电路可以为一级或多级保护电路，该保护电路包括电压输入端，电压输出端，以及接地端，在所述电压输入端和接地端之间依次连接有第一电容 C1 和第一电阻 R1；由第一 PMOS  晶体管M1、第二电阻R2、第一二极管串组成的并联电路连接在所述电压输入端和电压输出端之间，其中所述第一PMOS 晶体管 M1  的源极与所述电压输入端连接，漏极与所述电压输出端连接，栅极连接于所述第一电容C1和第一电阻 R1  之间，在所述接地端和电压输出端之间连接有一负载，本申请上电保护电路具有易于实现、占用芯片面积小、可靠性高、动态范围宽等特点。

一种室内定位方法

本发明提供一种室内定位方法，包括：1）于定位空间设置若干个固定设备，各固定设备形成双向链形结构；2）各固定设备上电后进行同步定标，系统运行后根据各个固定设备之间的误差累计情况决定两次同步定标之间的时间间隔；3）移动设备进入定位范围内并开启定位功能后，与临近若干固定设备进行同步定标；4）移动设备按照其接收到各固定设备信号的时间以及光速转换成距离，并据此确定移动设备的位置。本发明通过对固定设备及移动设备进行同步定标后，根据信号收发时间计算移动设备与固定设备之间的距离，进而确定移动设备的位置坐标，相比于根据信号强度进行定位的方法来说，具有算法简单、定位精确等优点。

一种心率测量信号处理方法

本发明提供一种心率测量中的信号处理方法，所述信号处理方法包括步骤：用统计方法判断时域数据的取舍；频域数据，低于最小可能心率的频率舍弃，各个主峰的最小可能心率邻域内的峰舍弃；采用的频谱峰按照可能的几种倍频关系逐一判断决定；在原始数据中倍频分量较小的情况，对原始数据差分以突出倍频；最后直线拟合的优劣和直线截距决定心率结果是否采用。本发明可以获得比较精确的心率值，在心率测量领域具有广泛及深远的应用前景。