1、XEP100型号内存、flash、eeprom容量
（1）RAM：64K（8K non banked，56K banked）； non banked为64k地址范围内可寻址的区域，banked为分页RAM，需通过切换RPAGE来访问。
（2）Flash（P-Flash）：1M（32K non banked，992K banked）； 32K（16+16）非分页在64k地址范围内， 992K分页通过切换PPAGE访问，每页16K。
（3）Flash（D-Flash）：32K（all banked）； 全部需通过切换EPAGE访问。
（4）EEPROM：4K（1K non banked，3K banked）； 1K在64k地址范围内，另外3K在分页地址，通过切换EPAGE访问。
2、.prm/.inc文件中描述的memory地址含义
（1）.inc文件中描述的地址为全局地址，即每个区块对应的真实地址；其中在64k地址范围内的块，可以在程序中直接加载地址访问， 64k以外的区块，需要根据不同模块，切换相应的分页符寄存器来访问。
（2）.prm文件中描述的地址为真实地址和映射地址，对于64k地址范围内的为真实地址，64k外的为通过分页符切换后可以访问的地址空间。举例说明如下：
D-Flash的分页区块被分为32页，每页对应1K，都映射到0x800-0xBFF这个地址空间（所有涉及分页访问的都有一个类似的公共地址范围，以便在程序中以16位地址访问到64k以外的空间），分页符从00-1F，所以在.prm文件中对应的地址为
000800-000BFF，010800-010BFF，... ...1F0800-1F0BFF。当需要读取这些区块的数据是，首先根据输入的全局地址（.inc文件中描述的地址范围），找到对应的EPAGE分页符，赋值给EPAGE，再根据输入的全局地址计算在该页中的相对偏移量，页起始地址+偏移量作为程序读取时访问的地址。 注意，D-Flash擦除、写入编程操作时，入口地址为全局地址（非分页映射地址）
