定义器件结构 从atlas定义器件结构 1. 定义网格 这里，通过定义每个坐标值处的网格间距来定义整个器件的网格分布，在相邻两个定义了网格间距的坐标值之间的区域，网格的间距渐...
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从Atlas定义器件结构
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第一章 半导体物理与性质综述---①
1.1介绍 半导体器件的物理本质上依赖于（naturally dependent on）半导体材料本身的物理性质。本章对半导体的基本物理和性质进行了总结和回顾。它只代表了有关...
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文章、专利下载查询实用网址
一、文章下载网址 1，百度学术下载文章 2，百度学术输文章名，找到对应的DOI，然后复制到下面的网址 http://sci-hub.tw 3，百度学术上面找不到，可以去下面这...
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第二章 载流子输运现象
2.1 载流子漂移 迁移率：表示单位场强下带电子的平均漂移速度（温度、载流子浓度对其有影响） 晶体周期势的影响被记入传到电子的有效质量中，与自由电子质量不同。在热平衡状态下，...
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第一章 能带和热平衡载流子浓度1.1 半导体材料 硅器件在室温下有较佳的特性，且高品质的硅氧化层可由热氧化的方式生长，价格低廉，丰度仅次于氧，工艺发展最为完善。 砷化镓适用于高速和光电器件。 1.2 基本...
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PT100温度采集电路设计
** PT100是热敏电阻，使用中通过热敏电阻阻值变化来测算出被测温度；** 通常使用惠斯通电桥法电路来测量需要测定的电阻值； 由于之前未想到使用惠斯通电桥方法来测量，所以实...
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